壓阻式傳感器歷史
1960-1970年，硅擴散技術快速發展，技術人員在硅晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。
1970-1980年，硅杯擴(kuo)散(san)理論的(de)基礎(chu)上應用了(le)硅的(de)各向(xiang)異性的(de)腐蝕技術(shu)，擴(kuo)散(san)硅傳感器其加工(gong)工(gong)藝(yi)以(yi)硅的(de)各項異性腐蝕技術(shu)為主，發(fa)展成為可以(yi)自(zi)動控制硅膜(mo)厚度的(de)硅各向(xiang)異性加工(gong)技術(shu)
隨著技術(shu)的(de)發展，現在(zai)可以通過微(wei)機(ji)械加工(gong)工(gong)藝(yi)制作由計算(suan)機(ji)控(kong)制加工(gong)出(chu)結構型的(de)壓(ya)力(li)傳感(gan)器，其線度可以控(kong)制在(zai)微(wei)米(mi)級(ji)范圍內。利用(yong)這一(yi)技術(shu)可以加工(gong)、蝕刻微(wei)米(mi)級(ji)的(de)溝(gou)、條、膜，使得壓(ya)力(li)傳感(gan)器進(jin)入了微(wei)米(mi)階段。
壓阻式傳感器原理
激勵電源一般為 恒流源或者恒壓源
上海(hai)朝輝(hui)擁(yong)有25年傳感(gan)(gan)器核心技術(shu)的(de)研發(fa)與生(sheng)產，為中(zhong)國、美國、中(zhong)東、意大利(li)等國家的(de)傳感(gan)(gan)器提供(gong)差壓芯體、擴(kuo)散(san)硅(gui)芯體、微熔芯體等核心部件，并與客(ke)戶共同分享行業應用(yong)的(de)經(jing)驗數據，在技術(shu)與價格上具備較高競爭力。
01
單晶硅芯體：
熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這(zhe)些晶(jing)核(he)長成(cheng)晶(jing)面取向相同的晶(jing)粒(li)，則形成(cheng)單晶(jing)硅。由于(yu)其內(nei)部結構的均勻性，單晶(jing)硅在力學、光學和熱學性能(neng)上表現優越(yue)。zhyq單晶(jing)硅壓力芯體具有精度高、穩定(ding)性好等特點
02
擴散硅芯體：
傳統的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)硅半導體材(cai)質，在(zai)(zai)多晶硅上(shang)(shang)使用微(wei)機械加工技術雕刻而成。技術成熟，工藝穩定，在(zai)(zai)精度上(shang)(shang)無法無單晶硅媲美，但是(shi)在(zai)(zai)成本、通(tong)用性、以及性價(jia)比上(shang)(shang)具有獨特的(de)(de)(de)優(you)勢(shi)。
03
玻璃微熔芯體：
美國加州理工學院在1965年研發的新型技術，腔體背面由高溫玻璃粉燒結17-4PH低碳鋼，腔體由17-4PH不銹鋼翻出，適用于高壓過載，能有效抵抗瞬間壓力沖擊。含有少量雜質的流體介質，無需充油和隔離膜片即可測量;不銹鋼結構，無“O”型密封圈，無溫度釋放隱患。它可以在高壓下測量600MPa(6000bar)，最高精度為0.075%。
但是玻璃微熔傳感器小量程的測量比較困難，一般測量范圍在500kPa以上。
基(ji)于MEMS(微機電(dian)系統)技術的壓(ya)力傳(chuan)感器是由微/納惠(hui)斯通(tong)電(dian)橋制(zhi)成(cheng)的硅(gui)應(ying)變(bian)計。具(ju)有輸出靈敏度高、性能穩(wen)定、批量可靠、重復(fu)性好的優(you)點。
上海(hai)朝輝壓力(li)儀器有限公(gong)司(si)——集研發、生產(chan)和銷售為一體化(hua)的綜(zong)合性(xing)高新科技(ji)企(qi)業(ye)。感謝(xie)您的關注和支持，歡迎聯系(xi)咨詢更多(duo)產(chan)品(pin)詳情。
